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Pièces Infineon

Affichage de 49–72 sur 1,512 piècesPage 3 sur 63
60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technologyDisponible sur demande60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technology
Référence: TT570N16KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technologyDisponible sur demande60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technology
Référence: TD600N16KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 2200 V in pressure contact technologyDisponible sur demande60 mm Thyristor/Thyristor Module with 2200 V in pressure contact technology
Référence: TT520N22KOFB01A · Infineon
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EasyPIM™ 1200 V, 15 A TRENCHSTOP/FIELDSTOP IGBT4, emitter-controlled 4 diode and TIM 2.0Disponible sur demandeEasyPIM™ 1200 V, 15 A TRENCHSTOP/FIELDSTOP IGBT4, emitter-controlled 4 diode and TIM 2.0
Référence: FP15R12W1T4Q · Infineon
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1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT moduleDisponible sur demande1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT module
Référence: F3L420R12D3H7-B78 · Infineon
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1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT moduleDisponible sur demande1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT module
Référence: F3L420R12D3H7F · Infineon
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HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1300V/390A B6-bridge power module optimized for inverter various power classesDisponible sur demandeHybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1300V/390A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
Référence: FS01M9R13A7MA2B · Infineon
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1200 V, 35 A single switch IGBT moduleDisponible sur demande1200 V, 35 A single switch IGBT module
Référence: FZ35R12ST4-H18-A · Infineon
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1200 V, 560 A in 3-level boost topology IGBT moduleDisponible sur demande1200 V, 560 A in 3-level boost topology IGBT module
Référence: FC560R12D3H7F-B78 · Infineon
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1200 V, 150 A common emitter IGBT moduleDisponible sur demande1200 V, 150 A common emitter IGBT module
Référence: FF150R12W1T7E-B11 · Infineon
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1700 V, 1400 A half-bridge IGBT moduleDisponible sur demande1700 V, 1400 A half-bridge IGBT module
Référence: FF1400R17T2P8 · Infineon
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1700 V, 2000 A half-bridge IGBT moduleDisponible sur demande1700 V, 2000 A half-bridge IGBT module
Référence: FF2000R17T2P8 · Infineon
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HybridPACK™ Drive G2 with Si/SiC Fusion switch : Compact 750V B6-bridge power module optimized for inverter various power classesDisponible sur demandeHybridPACK™ Drive G2 with Si/SiC Fusion switch : Compact 750V B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
Référence: FS980R08A7F32B · Infineon
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HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1200 V/500 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classesDisponible sur demandeHybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1200 V/500 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
Référence: FS01M5R12A7MA2B · Infineon
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HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1200 V/300 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classesDisponible sur demandeHybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1200 V/300 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
Référence: FS03M1R12A7MA2B · Infineon
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HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 750 V/600 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classesDisponible sur demandeHybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 750 V/600 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
Référence: FS01M3R08A7MA2B · Infineon
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This HybridPACK™ Drive G2 module is a very compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehiclesDisponible sur demandeThis HybridPACK™ Drive G2 module is a very compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles
Référence: FS520R12A8P1B · Infineon
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4500 V, 1200 A single switch IGBT moduleDisponible sur demande4500 V, 1200 A single switch IGBT module
Référence: FZ1200R45HL4-B8 · Infineon
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50 mm Single Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technologyDisponible sur demande50 mm Single Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technology
Référence: TZ600N18KOF · Infineon
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50 mm Single Thyristor Module with 2200 V in pressure contact technologyDisponible sur demande50 mm Single Thyristor Module with 2200 V in pressure contact technology
Référence: TZ520N22KOF · Infineon
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50 mm Single Rectifier Diode Module with 2200 V in pressure contact technologyDisponible sur demande50 mm Single Rectifier Diode Module with 2200 V in pressure contact technology
Référence: DZ600N22K · Infineon
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1200 V, 450 A half-bridge IGBT moduleDisponible sur demande1200 V, 450 A half-bridge IGBT module
Référence: FF450R12KE7P-E · Infineon
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1200 V, 450 A half-bridge IGBT module with pre-applied thermal interface materialDisponible sur demande1200 V, 450 A half-bridge IGBT module with pre-applied thermal interface material
Référence: FF450R12KE7P · Infineon
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1200 V, 500 A 3-level NPC1 topology IGBT moduleDisponible sur demande1200 V, 500 A 3-level NPC1 topology IGBT module
Référence: F3L500R12N3H7-B66 · Infineon
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