
قطع Infineon
متاح عند الطلب60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technology
متاح عند الطلب60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technology
متاح عند الطلب60 mm Thyristor/Thyristor Module with 2200 V in pressure contact technology
متاح عند الطلبEasyPIM™ 1200 V, 15 A TRENCHSTOP/FIELDSTOP IGBT4, emitter-controlled 4 diode and TIM 2.0
متاح عند الطلب1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT module
متاح عند الطلب1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT module
متاح عند الطلبHybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1300V/390A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
متاح عند الطلب1200 V, 35 A single switch IGBT module
متاح عند الطلب1200 V, 560 A in 3-level boost topology IGBT module
متاح عند الطلب1200 V, 150 A common emitter IGBT module
متاح عند الطلب1700 V, 1400 A half-bridge IGBT module
متاح عند الطلب1700 V, 2000 A half-bridge IGBT module
متاح عند الطلبHybridPACK™ Drive G2 with Si/SiC Fusion switch : Compact 750V B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
متاح عند الطلبHybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1200 V/500 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
متاح عند الطلبHybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1200 V/300 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
متاح عند الطلبHybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 750 V/600 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
متاح عند الطلبThis HybridPACK™ Drive G2 module is a very compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles
متاح عند الطلب4500 V, 1200 A single switch IGBT module
متاح عند الطلب50 mm Single Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technology
متاح عند الطلب50 mm Single Thyristor Module with 2200 V in pressure contact technology
متاح عند الطلب50 mm Single Rectifier Diode Module with 2200 V in pressure contact technology
متاح عند الطلب1200 V, 450 A half-bridge IGBT module
متاح عند الطلب1200 V, 450 A half-bridge IGBT module with pre-applied thermal interface material
متاح عند الطلب1200 V, 500 A 3-level NPC1 topology IGBT module